RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3343
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link