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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
20.9
写入速度,GB/s
2,123.3
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3343
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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