RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3385
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link