RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3385
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link