RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
59
Por volta de -84% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3385
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link