RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
59
Autour de -111% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3300
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link