RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3300
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link