RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3300
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link