RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
59
Autour de -127% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3733
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link