RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3733
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link