RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
59
Autour de -5% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
56
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
1964
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link