RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
59
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1964
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link