RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
59
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1964
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link