RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
83
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
83
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
1774
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link