RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
83
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
83
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1774
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
AMD R534G1601U1S 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link