RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
4202
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link