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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
74
左右 -208% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
24
读取速度,GB/s
4,178.4
22.7
写入速度,GB/s
2,201.1
18.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
4202
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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