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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
74
左右 -208% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
24
读取速度,GB/s
4,178.4
22.7
写入速度,GB/s
2,201.1
18.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
4202
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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