RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
22.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
74
Autour de -208% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
22.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
4202
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link