RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
83
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
83
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1774
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link