RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
69
Autour de -5% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
66
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
1877
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link