RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
69
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1877
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link