RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
69
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1877
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link