RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
69
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1877
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link