RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
58
Autour de -49% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2940
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link