RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
58
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2940
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link