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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
58
Por volta de -49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
11.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2940
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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