RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
66
Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
66
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
1699
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link