RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
66
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
1699
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link