RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3415
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link