RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3415
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link