RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3415
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link