RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
8500
Около 2.75 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
23400
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2761
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link