Comparaison de la RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Note globale

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 30

Autour de 7% latence réduite

Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.3 12.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.2 7.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

23400 8500

Autour de 2.75 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1988 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns