Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Intorno 7% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.3 left arrow 12.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.2 left arrow 7.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 8500
    Intorno 2.75 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.7 left arrow 16.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.5 left arrow 12.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1988 left arrow 2761
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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