Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 30
    En 7% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.3 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.2 left arrow 7.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 8500
    En 2.75 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 16.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 12.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 23400
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1988 left arrow 2761
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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