RAM-Vergleich Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Gesamtnote

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 30

Rund um 7% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.3 12.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.2 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 8500

Rund um 2.75 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1988 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns