Comparação RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Pontuação geral

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 30

Por volta de 7% menor latência

Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.3 12.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.2 7.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

23400 8500

Por volta de 2.75 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1988 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns