RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link