RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2221
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link