RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
46
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
39
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
9.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2221
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7BFR4C
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link