RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
46
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
39
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2221
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link