RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3379
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link