Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 46

Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.1 1,519.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 3200

Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

241 3379

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns