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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3379
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
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Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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