RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2910
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link