RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2910
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link