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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
2,909.8
15.5
写入速度,GB/s
1,519.2
10.6
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2910
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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