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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
61
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
61
读取速度,GB/s
13.9
17.6
写入速度,GB/s
9.7
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2113
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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