RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2968
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GR7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link