RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 17.3
    Среднее значение в тестах
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 46
    Около -59% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.8 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 3200
    Около 6.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 17.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 10.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 2968

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
модули RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
модули RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
модули RAM