Comparaison de la RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 46

Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 1,519.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 3200

Autour de 6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

241 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns