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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
46
周辺 -24% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
3200
周辺 6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
37
読み出し速度、GB/s
2,909.8
16.0
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
12.6
メモリ帯域幅、mbps
3200
19200
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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